第367章 MOS(2/5)

为数字电路来说，只要能满足在规定的条件下完成预想的状态转移即可，元件精度高并没有什么用处，这不是模拟电路，要求大不相同。

    再说了，双极型的元件精度高，也只是相对MOS来说的，真实差距甚至连五十步笑百步都算不上。

    要说在集成电路设计阶段成本低，在这個阶段就是个伪命题，人力成本在这时候不怎么算的。

    MOS还有一个毛病是某个芯片一旦定型后，修改困难，修改成本很高。

    但对于高振东要做的事情来说，这个根本就不是问题。

    作为大规模使用的芯片，不论是逻辑门集成电路还是CPU、DRAM，都是定型了就不会随便修改，会大量量产的东西，所以这一点在这方面根本就不是问题。

    最重要的一点是，高振东清楚的知道，打从CPU和半导体存储器一开始，就没有双极型什么事儿，双极型做集成逻辑门电路是不错，但是用来做CPU和半导体存储器，根本用不上。

    或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。

    Intel 4004，10μm的PMOS。

    8008，10μm的PMOS。

    首个4Kbit的DRAM，8μm的NMOS。

    首个16Kbit的DRAM，5μm的NMOS。

    大名鼎鼎的8086/8088，3μm的NMOS。

    彻底巩固了Intel数十年基业的80286，1.5μm的CMOS。

    至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。

    这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！

    抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。

    PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。

    而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。

    工序更少、工艺更简单、良品率更高